ケミカル
SiC/GaN
提供会社：エア・ウォーター（株）
3C-SiC on Si基板
エア・ウォーター（株）では、3C-SiC on Si基板を提供しております。
GaN（窒化ガリウム）用基板である3C-SiC（111）ヘテロエピタキシャルウェーハは、シリコンウェーハ上に独自のエピタキシャル成膜技術を用いSiCをヘテロエピタキシャル成長させた、GaNの成長に適した基板です。GaNパワーデバイスおよびGaN LED向けにバッファー層を簡略化でき、かつシリコンウェーハを下地基板として用いるため、最大8インチの大口径のSiC基板を量産して提供することができます。
製品の特長
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2インチから8インチまでご用意できます
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GaNの成膜に適した基盤です
・メルトバックエッチングが起きません
・SiCはGaNとの格子整合性がよく、容易にGaNの成膜が可能です -
薄い超格子バッファーや、さらにシンプルなバッファー構造でGaNエピ層が実現できます
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レーザーリフトオフ（LLO）プロセス不要の高輝度縦型LED構造が実現できる可能性があります
3C-SiC（111） on Si エピタキシャル基板について
基本仕様
| Diameter | 2"～8" diameter |
| Epi film | 2.0～3.5 um-thick SiC（111） layer |
| Crystal | XRC-FWHM（SiC（111）, ω-scan） 500～800 arcsec |
| Applications | GaNパワーデバイス、LED、MEMS、フォトニック結晶、人工光合成/光触媒、弾性表面波フィルター、ダイアモンドやZnO用ヘテロエピタキシャル基板等 |
製品外観（8インチ）
断面模式図
SEM断面写真
3C-SiC（111） on Si XRC-FWHM（SiC（111）, ω-scan）
エア・ウォーターが独自開発したVCE装置により、高い結晶性を有した3C-SiC（111） エピタキシャル膜が実現できます。
（SiC膜厚 3.9 um にて462 arcsecと世界トップレベルの結晶性）
受託製造（委託製造）について
エア・ウォーターの3C-SiC/Si ヘテロエピタキシャルウェーハは、シリコンウェーハ上に独自のエピタキシャル成膜技術を用いSiCをヘテロエピタキシャル成長させた、GaNの成長に適した基板をご提供可能です。
本件の詳細や3C-SiC on Si基板の導入やご検討、ご要望については、こちらからお問い合わせください。
