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ケミカル
SiC/GaN
GaN（窒化ガリウム）用基板である3C-SiC（111）ヘテロエピタキシャルウェーハは、シリコンウェーハ上に独自のエピタキシャル成膜技術を用いSiCをヘテロエピタキシャル成長させた、GaNの成長に適した基板です。GaNパワーデバイスおよびGaN LED向けにバッファー層を簡略化でき、かつシリコンウェーハを下地基板として用いるため、最大8インチの大口径のSiC基板を量産して提供することができます。